Número de Producto del Fabricante:
TSM033NB04LCR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM033NB04LCR RLG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 121A (Tc) 3.1W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12894475
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM033NB04LCR RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 121A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4456 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5.2x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerLDFN
Número de producto base
TSM033
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM033NB04LCRRLGCT
TSM033NB04LCRRLGDKR
TSM033NB04LCRRLGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TSM120NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
DMP2075UVT-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
TSM60N380CH C5G
MOSFET N-CH 600V 11A TO251
